2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器 |
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作者姓名: | 陶蕤 王志功 谢婷婷 陈海涛 |
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作者单位: | 东南大学射频与光电集成电路研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,69825101, |
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摘 要: | 随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50Hz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能,越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35μmCMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器,放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成。在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.
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关 键 词: | CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感 |
文章编号: | 0372-2112(2001)11-1530-03 |
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