Ⅱ-VI族半导体的掺杂与补偿

采用离散变分局域密度泛函（ＤＶＬＤＦ）方法及团簇模型研究了ＩＩＶＩ族半导体中的掺杂及补偿问题。研究了ＺｎＳｅ中的Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ等杂质不同的结构和电子性质。发现ＮＳｅ在ＺｎＳｅ中没有ＪａｈｎＴｅｌｅｒ形变，而ＰＳｅ和ＡｓＳｅ存在这一形变，从而判定Ｎ是其中最有效的ｐ型掺杂剂。对于ｎ型的ＺｎＳｅ，研究发现Ｃｌ是最有效的施主杂质。根据对缺陷复合体的计算，发现ＮＳｅＺｎＶＳｅ及诸如ＮＳｅＺｎｉｎｔ的多Ｎ集团对于ｐ型ＺｎＳｅ的补偿有着重要作用。研究表明，对于ＺｎＴｅ来说，Ｃｌ不是有效的施主杂质，而Ｎ是有效的受主杂质。