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分类号
杂志ISSN号
AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声测试方法研究
作者单位:
国家半导体器件质量监督检验中心,河北石家庄050051;中电科技集团电子可靠性工程技术有限公司,北京100083
摘 要:
关 键 词:
AlGaN/GaN HEMT器件
低频噪声测试
可靠性
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