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功率MOSFET——八十年代的动力
引用本文:Duncan Grant,Allan Tregidga,喻淑伦.功率MOSFET——八十年代的动力[J].微电子学,1987(5).
作者姓名:Duncan Grant  Allan Tregidga  喻淑伦
作者单位:国际整流器公司,国际整流器公司
摘    要:采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战。

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