功率MOSFET——八十年代的动力 |
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引用本文: | Duncan Grant,Allan Tregidga,喻淑伦.功率MOSFET——八十年代的动力[J].微电子学,1987(5). |
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作者姓名: | Duncan Grant Allan Tregidga 喻淑伦 |
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作者单位: | 国际整流器公司,国际整流器公司 |
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摘 要: | 采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战。
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