| InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE |
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| 引用本文： | 谢国柱,高新江. InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE[J]. 半导体光电, 1992, 0(4) |
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| 作者姓名： | 谢国柱 高新江 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所 永川 632163，永川 632163 |
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| 摘 要： | 叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm~2V·s,载流子浓度为2.4×10~(18)cm~(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10~(15)cm~(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。
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| 关 键 词： | 应变层超晶格 InSb 薄膜 红外探测器 |
InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE |
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| Xie Guozhu Gao Xinjiang. InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1992, 0(4) |
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| Authors: | Xie Guozhu Gao Xinjiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Strained Layer Superlattice InSb Thin Film IR Detector |
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