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| 合成金刚石膜用的各种淀积技术的比较 | |
| 引用本文： | 吴健昌.合成金刚石膜用的各种淀积技术的比较[J].微细加工技术,1990(Z1). |
| 作者姓名： | 吴健昌 |
| 摘 要： | 合成工艺方式淀积的膜层质量和类型使用的基片/(需要核化 优点 缺点加强处理) 化学气相淀积(CVD):(1)热丝 厚度为1000— Si,Mo(用金 CVD 5000A的很薄的 刚石/SiC刻痕 金刚石膜,表面 以加强成核能 粗糙,不透明 力)(2)电子辅助 不透明,膜的 Si和高熔点 CVD 表面粗糙,表 金属(无) 示是成团的多 晶金刚石 等离子辅助CVD:(1)微波辅助 CVD(2)远控等离子 辅助CVD薄的透明金刚石膜,膜层表面粗糙公开发表的可供评价膜的质量的数据很少(3)采用空心阴 透明膜 极的PACVD 物理气相淀积(PVD):(1)离子束淀积 光滑透明的 i—C膜(2)双溅射束(3)… |
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