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| 退火处理对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 张波,董显平,徐晓峰,赵培,吴建生. 退火处理对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响[J]. 中国有色金属学报, 2008, 18(1): 48-53 |
| 作者姓名： | 张波 董显平 徐晓峰 赵培 吴建生 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学,材料科学与工程学院,教育部高温材料及测试重点实验室,上海,200240 2. 东华大学,理学院,上海,200051 3. 中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展基金 |
| 摘 要： | 利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO：Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了（400）晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO：Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO：Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO：Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO：Zr薄膜具有更好的光电性能。 |
| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 退火处理 光电性能 退火处理 薄膜性能 影响 properties annealing treatment Effect 效益指数 显示 变化 光学禁带宽度 跃迁模型 可见光透过率 趋势 表现 方阻 光电性能 改善 室温 表面粗糙度 表面颗粒 |
| 文章编号： | 1004-0609（2008）01-0048-06 |
| 收稿时间： | 2007-05-08 |
| 修稿时间： | 2007-09-20 |
Effect of annealing treatment on properties of ITO and ITO:Zr thin films |
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| ZHANG Bo,DONG Xian-ping,XU Xiao-feng,ZHAO Pei,WU Jian-sheng. Effect of annealing treatment on properties of ITO and ITO:Zr thin films[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2008, 18(1): 48-53 | |
| Authors: | ZHANG Bo DONG Xian-ping XU Xiao-feng ZHAO Pei WU Jian-sheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | ITO thin films magnetron sputtering annealing treatment optical-electrical properties |
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