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| 添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 吉岸 刘祥峰 袁纪烈 卞德东 |
| 作者单位： | 1. 同方股份有限公司,北京,100083 2. 山东同方鲁颖电子有限公司,山东,临沂,276300 |
| 基金项目： | 国家"863"计划资助项日 |
| 摘 要： | 采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%～6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃,并提高其介电性能。当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10–4,击穿场强为16.7×103V/mm。 |
| 关 键 词： | 无机非金属材料 BNT陶瓷 介电性能 击穿场强 |
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