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| BCD工艺的外延层最佳参数选择 | |
| 引用本文： | 谢世健.BCD工艺的外延层最佳参数选择[J].半导体技术,1991(2):38-40. |
| 作者姓名： | 谢世健 |
| 作者单位： | 东南大学 |
| 摘 要： | 一、引言 智能功率集成电路(SPIC)是把低压控制逻辑和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现逻辑控制,自诊断和具有过医、过热、过流以及短路、开路等保护功能。对于功率器件耐压低于100伏的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型、CMOS和DMOS的工艺兼容。在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个最重要的问题之一。因为对于智能功率集成电路中关键的功率输出DMOS管,保证足够高的源漏击穿电压BV_(DS)和尽可能低的导通阻抗R_(OD)是 |
| 关 键 词： | CD工艺 外延层 参数 CMOS DMOS |
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