| La2/3(CaXBa1-X)1/3MnO3材料的绝缘体-金属转变与晶界效应 |
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| 引用本文： | 赖恒,陈水源,陈志高,李永森,黄志高.La2/3(CaXBa1-X)1/3MnO3材料的绝缘体-金属转变与晶界效应[J].稀土,2003,24(2):45-49. |
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| 作者姓名： | 赖恒 陈水源 陈志高 李永森 黄志高 |
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| 作者单位： | 1. 福建师范大学,物理系,福建,福州,350007
2. 福建师范大学,物理系,福建,福州,350007;南京大学,物理系,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目(E0010022)，福建省科技厅资助项目(2000E146)，教育部骨干教师资助项目(BD041) |
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| 摘 要： | 用固相反应法制备了La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,并测量了在77K～350K范围内零磁场和0.4T外磁场下的电阻率。这些样品都出现了双电阻峰结构,采用Mott转变表达式ρ～exp(T0/T)1/4拟合了实验数据,结果表明高温峰的转变是绝缘体-金属(I-M)转变,而低温峰不是I-M转变峰,用自旋极化电子隧道效应和局域化模型解释了电阻和磁电阻行为。此外,在x=0.4～0.6掺杂范围内样品呈现出异常的电阻行为。
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| 关 键 词： | 电阻 掺杂I-M转变 晶界效应 非磁无序 |
| 文章编号： | 1004-0277(2003)02-0045-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月12 |
Insulator to Metal Transitions and Grain Boundary Effect in La2/3(CaXBa1-X)1/3MnO3 Materials |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistance doping grain boundary effect nonmagnetic randomness |
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