氮化铝基板薄膜金属化工艺研究 |
| |
作者姓名: | 王桦 |
| |
摘 要: | 氮化铝(AIN)基板由于其优良的热性能和无毒性,成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题:(1)金属薄膜同AIN基板的附着力;(2)AIN基板上薄膜电阻的温度系数;(3)AIN基板上NiCr薄膜电阻的功率密度。研究结果表明,氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于AIN陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。
|
关 键 词: | 氮化铝基板 薄膜金属化 集成电路 工艺 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|