阳析氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用 |
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引用本文: | 杨成刚.阳析氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用[J].混合微电子技术,1995,6(1):22-25. |
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作者姓名: | 杨成刚 |
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摘 要: | 在薄膜混合集成电路中,在金导带与阻带的网络上蒸发一层铝膜,然后利用光刻与阳极氧化结合的方法来刻蚀,从而把金压焊转换为铝压焊点,以改善金导带与硅铝丝键合性能不足。同时产生一层三氧化二铝保护膜,既可保护导-阻带网络,又可实现交叉引线。在提高产品质量、降低产品成本等方面起到了重要的作用。
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关 键 词: | 薄膜集成电路 混合集成电路 阳极 氧化铝 |
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