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| MOS器件1／f噪声理论及应用 | |
| 作者姓名： | 方志豪 朱秋萍 |
| 作者单位： | 武汉大学无线电信息工程系(方志豪)，武汉大学无线电信息工程系(朱秋萍) |
| 摘 要： | 本文推出MOS器件1/f噪声理论,可以用于包括强反型亚饱和区及饱和区在内的任何漏压偏置状态,是迄今适用范围最宽的一种理论。利用本理论,可以通过噪声测量确定器件的一些特性参数,从而提出一种不同于传统方法的参数测试新方法。这些研究表明,本理论有很好的实用价值。 |
| 关 键 词： | MOS器件 1／f噪声 亚饱和区 饱和区 |
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