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| NexFET：一种高可靠与高性能的低压功率DHOSFET | |
| 引用本文： | Alex,O.,Huang[美],许曙明[美],王潇.NexFET：一种高可靠与高性能的低压功率DHOSFET[J].电力电子,2010(2):48-50. |
| 作者姓名： | Alex O. Huang[美] 许曙明[美] 王潇 |
| 作者单位： | [1]北卡罗来纳州立大学 [2]德克萨斯仪器公司 [3]精英公共关系顾问（北京）公司 |
| 摘 要： | 本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数（Ron＊Qg）改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。 |
| 关 键 词： | NexFET MOSFET 齐纳二极管 电源管理 模拟 德州仪器（TI） |
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