| 新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究 |
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| 引用本文： | 童建农,邹雪城,沈绪榜.新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究[J].固体电子学研究与进展,2003,23(4):400-405. |
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| 作者姓名： | 童建农 邹雪城 沈绪榜 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073
2. 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430073 |
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| 摘 要： | 应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大
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| 关 键 词： | 槽栅结构 器件特性 热载流子退化 热载流子效应 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)04-400-06 |
| 修稿时间： | 2003年4月14日 |
Modeling Study on Hot Carrier Effect of New Grooved Gate nMOSFET |
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| TONG Jiannong ZOU Xuecheng , SHEN Xubang.Modeling Study on Hot Carrier Effect of New Grooved Gate nMOSFET[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(4):400-405. |
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| Authors: | TONG Jiannong ZOU Xuecheng SHEN Xubang |
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| Affiliation: | TONG Jiannong 1 ZOU Xuecheng 1,2 SHEN Xubang 1 |
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| Abstract: | The characterisitcs of hot carrier effect in grooved gate and planar MOSFET are simulated using classical 2-D devi ce simulator PISCES-Ⅱ. The electric field of channel in grooved gate and its i mpact on hot carrier effect are studied. The grooved gate is very favorable to s uppressing short channel effects and hot carrier effects. The characteristics of subthreshold and output vary greatly because of its sensitivity to hot carriers . |
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| Keywords: | grooved gate characteristics of device hot ca rrier degradation hot carrier effect |
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