首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

静电场分析法优化设计负离子源中性束注入系统高压仓结构
作者姓名:阳璞琼  吴文秀  蒋才超  刘智民  刘波  汪日新  刘胜  谢远来  胡纯栋
作者单位:1. 南华大学电气工程学院;2. 中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所
摘    要:为探究最为合理的负离子源中性束注入(NNBI)装置高压仓(HVD)结构,采用有限元静电场分析方法,对不同结构高压仓进行仿真计算分析,在考虑分布电容影响的前提下,优化设计了高压仓的主体和外形结构,并确定了安全绝缘距离,对高压仓的工程研制提供了理论指导,为NNBI的安全稳定运行奠定了基础。

关 键 词:NNBI  高压仓  静电场分析  分布电容
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号