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| 抗辐射封装加固器件典型失效模式 | |
| 引用本文： | 赵鹤然,王吉强,李靖旸,康敏,孔明.抗辐射封装加固器件典型失效模式[J].微处理机,2021(2):10-13. |
| 作者姓名： | 赵鹤然 王吉强 李靖旸 康敏 孔明 |
| 摘 要： | 封装屏蔽是抗辐射加固技术领域的重要分支,相比于芯片的设计加固和工艺加固,具有成本低、周期短、难度小等优势,可根据集成电路应用时所处的辐射环境,选择相应的屏蔽材料实现有针对性的封装加固.基于复合金属材料屏蔽原理,提出一种一体化的抗辐射封装结构及其制备方法.屏蔽涂层制备具有涂覆精准、结合稳定,厚度可调节、成分可掺杂等特点.... |
| 关 键 词： | 屏蔽 封装加固 抗辐射 总剂量效应 电子辐射 |