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n-InSb的磁双光子带间吸收研究
作者姓名:韦韬  王学忠
作者单位:北京大学物理系 (韦韬),北京大学物理系(王学忠)
基金项目:国家自然科学基金委员会科学基金,第三世界科学院研究资助
摘    要:通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.

关 键 词:光电导  调制光电导  双光子磁吸收  双光子吸收系数  三阶非线性极化率
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