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| 俄歇复合对InGaAsP量子阱激光器的阈值电流的影响 | |
| 引用本文： | Akira Sugimura,夏代川.俄歇复合对InGaAsP量子阱激光器的阈值电流的影响[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | Akira Sugimura 夏代川 |
| 作者单位： | 日本电报电话公司武藏野电气研究所 |
| 摘 要： | 为了改善InGaAsP激光器阈值电流与温度的关系,人们寄希望于量子阱(QW)结构。虽然分析了GaAs量子辐激光器的辐射电流与温度的关系,但不能用于InGaAsP量子阱激光器,因为俄歇效应对这种激光器有着重要的作用。本文分析了量子的尺寸对俄歇电流的影响,揭示出了InGaAsP量子阱激光器的低阈值电流和高特征温度T_0的极限值。计算了量子阱结构中导带和价带次能带之间一切可能跃迁的增益、辐射和俄歇系数。它们的全量子化状态到体状态跃迁范围的性质已经搞清楚。在载流子间无相互作用条件下,采用K-选择准则,InGaAsP和GaAs量子阱激光器的阈值电流计算值与文 |
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