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| InP晶片位错密度分布测量 | |
| 引用本文： | 潘静,杨瑞霞,骆新江,李晓岚,杨帆,孙聂枫.InP晶片位错密度分布测量[J].微纳电子技术,2011,48(3):199-202. |
| 作者姓名： | 潘静 杨瑞霞 骆新江 李晓岚 杨帆 孙聂枫 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 杭州电子科技大学天线与微波技术研究所,杭州,301108 |
| 基金项目： | 国家自然基金资助项目，浙江省公益技术研究工业项目 |
| 摘 要： | 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响.从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好.掺Fe的材料位错密度一般,但随着... |
| 关 键 词： | 磷化铟(InP) 晶体 位错密度((EPD) LEC法 热应力 |
Distribution Measurement of EPD on InP Single Crystal Wafers |
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| Pan Jing,Yang Ruixia,Luo Xinjiang,Li Xiaolan,Yang Fan,Sun Niefeng.Distribution Measurement of EPD on InP Single Crystal Wafers[J].Micronanoelectronic Technology,2011,48(3):199-202. | |
| Authors: | Pan Jing Yang Ruixia Luo Xinjiang Li Xiaolan Yang Fan Sun Niefeng |
| Affiliation: | Pan Jing1,Yang Ruixia2,Luo Xinjiang3,Li Xiaolan2,Yang Fan2,Sun Niefeng1(1.13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China,2.College of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,3.Institute of Antenna and Microwaves Technology,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 301108,China) |
| Abstract: | Using the generally international method,the distribution of EPD on different kinds of InP single crystal wafers grown by HP-LEC technique were measured,and the dislocation density distribution was clearly revealed.The causes and the results of the EPD distribution were analyzed.The analysis results show that the EPD distribution is influenced by the process conditions and the dopants.Based on the numerical value,the EPD of the S-doped materials is lower gene-rally.The EPD decreases obviously with the incre... |
| Keywords: | InP crystal etch pit density(EPD) LEC thermal stress |
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