| 高介电常数栅介质材料研究动态 |
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| 引用本文： | 周晓强,凌惠琴,毛大立,李明. 高介电常数栅介质材料研究动态[J]. 微电子学, 2005, 35(2): 163-168 |
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| 作者姓名： | 周晓强 凌惠琴 毛大立 李明 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200030 |
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| 基金项目： | 上海集成电路研发中心"校际资源整合研发基金"资助项目 |
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| 摘 要： | 随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料巳不能满足技术发展的需求。为此,应用于下一代MOSFET的高介电常数栅介质材料已成为当今微电子材料的研究热点。文章介绍了高K材料抑制隧穿效应影响的原理及其应当满足的各项性能指标,并对其研究动态和存在的问题进行了阐述,指出了最有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种高K材料。
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| 关 键 词： | MOSFET 微电子材料 高介电常数 栅极电介质 伪二元合金 |
| 文章编号： | 1004-3365(2005)02-0163-06 |
Development Trend of High Dielectric Constant Materials |
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| ZHOU Xiao-qiang,LING Hui-qin,MAO Da-li,LI Ming. Development Trend of High Dielectric Constant Materials[J]. Microelectronics, 2005, 35(2): 163-168 |
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| Authors: | ZHOU Xiao-qiang LING Hui-qin MAO Da-li LI Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOSFET Microelectronic material High-k Gate dielectrics Pseudo-binary alloy |
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