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退火温度对铝互连线热应力的影响
引用本文:吴月花,李志国,刘志民,吉元,胡修振,廖京宁.退火温度对铝互连线热应力的影响[J].半导体学报,2006,27(z1):403-406.
作者姓名:吴月花  李志国  刘志民  吉元  胡修振  廖京宁
作者单位:北京工业大学电控学院,北京,100022,北京工业大学材料学院,北京,100022
摘    要:采用二维面探测器X射线衍射(XRD)测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力.沉积态Al线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应力最小.250℃退火2.5h后,互连线在各方向上的应力都减弱,其中1μm Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线.采用电子背散射衍射(EBSD)方法,测量退火前后Al互连线(111),(100),(110)取向晶粒的IQ值.退火后平均IQ值提高,互连线残余内应力随之减小.EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.

关 键 词:二维面探测器XRD  EBSD  残余应力  IQ值  退火温度  退火温度  铝互连线  热应力  影响  Thermal  Stress  Annealing  Temperature  测试结果  分析  残余内应力  晶粒  取向  方法  EBSD  电子背散射衍射  最小  法线方向  表面  宽度  长度  膜厚
文章编号:0253-4177(2006)S0-0403-04
修稿时间:2005年10月11日

Relationship Between Annealing Temperature and Thermal Stress
Wu Yuehua,Li Zhiguo,Liu Zhimin,Ji Yuan,Hu Xiuzhen,Liao Jingning.Relationship Between Annealing Temperature and Thermal Stress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):403-406.
Authors:Wu Yuehua  Li Zhiguo  Liu Zhimin  Ji Yuan  Hu Xiuzhen  Liao Jingning
Abstract:
Keywords:
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