提高青铜法多芯Nb_3Sn导体临界电流密度JC的新工艺

本文提出了“青铜基体在导体中均匀配置”是提高青铜法多芯Nb_3Sn导体Jc的新观点,相应采用了“一次性青铜分配-两次挤压-拉伸”新工艺。用该工艺研制出了有高载流能力的大截面多芯Nb_3Sn矩形导体,并测定了其超导特性Jc、Tc、Hc2及反应热处理后青铜基体中的残余Sn含量。用这种工艺研制的矩形导体,经700℃,48-168小时反应热处理后,在4.2K,15特斯拉(T)时,其Jc值为1.2×10~4A/cm~2。H_(c2)(4.2K)为19.6-20T,Tc为17.5-17.7K。中国科学院电工研究所,用我们研制的带材(800米),采用先绕后扩散方法绕成的内口径为80毫米的磁体,在4.2K下,与7特斯拉背场磁体组合,产生磁场为11.4特斯拉,猝灭电流为303安,超过了磁体的原设计要求。本研究结果证明,我们提出的新观点是正确的,该新工艺是成功的。