易解理氧化镓晶片的半固结研磨工艺

目的 为了探究在半固结研磨工艺下的工艺参数对单晶氧化镓(100)晶面材料去除率和表面形貌的影响。方法 通过单因素试验研究研磨垫上磨料的粒度、研磨压力和研磨盘转速等工艺参数对氧化镓晶片材料去除率和表面粗糙度的影响规律，并采用正交试验对工艺参数进行优化。结果 实验结果表明，随着研磨垫上磨料粒度的增大，材料的去除率也逐渐增大，表面粗糙度也逐渐增大；随着研磨压力的增大，材料去除率逐渐增大，表面粗糙度增大的趋势逐渐减缓；随着研磨盘转速的增大，材料去除率逐渐增大，表面粗糙度变化不大。最后通过正交试验优化了工艺参数，得到优化后的最佳工艺组合，研磨垫上磨料的粒度为3μm，研磨压力为2940 Pa，研磨盘转速为60 r/min，研磨后氧化镓表面粗糙度为26 nm，材料去除率为3.786 nm/min。结论 半固结研磨工艺可以抑制解理现象，并且通过选择合适的半固结研磨工艺参数能够稳定有效地降低表面粗糙度，获得较好的氧化镓表面，并为后续的精密抛光工艺提供了技术依据。

Semi-Consolidated Grinding Process of Easily Cleaved Gallium Oxide Wafer