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| 可用于InP-I~2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管 | |
| 引用本文： | 苏里曼.可用于InP-I~2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管[J].半导体技术,1987(6). |
| 作者姓名： | 苏里曼 |
| 作者单位： | 北京电子管厂 |
| 摘 要： | 本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管(InP-HBT).这个管子的发射区是用无定型氧化镉(CdO)做的,基区采用锌(Zn)扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×10~(17)cm~(-3)InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电流增益H_(fed)=25(3V,1mA),反向工作的电流增益h_(fen)=8(3V,1mA),文章还提出了利用这种管子做开关管的InP-I~2L. |
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