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| MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究 | |
| 引用本文： | 韦光宇,彭瑞伍,任尧成,丁永庆.MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究[J].稀有金属,1992(6). |
| 作者姓名： | 韦光宇 彭瑞伍 任尧成 丁永庆 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (韦光宇，彭瑞伍，任尧成)，中国科学院上海冶金研究所(丁永庆) |
| 摘 要： | 为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。 |
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