| 100 V N沟道VDMOS寄生电容研究 |
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| 引用本文： | 唐昭焕,刘勇,胡永贵,羊庆玲,杨永晖,谭开洲.100 V N沟道VDMOS寄生电容研究[J].微电子学,2010,40(3). |
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| 作者姓名： | 唐昭焕 刘勇 胡永贵 羊庆玲 杨永晖 谭开洲 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
2. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060;模拟集成电路国家级重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9 ns和多晶线宽每变化0.2 μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好.将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VDMOS芯片制造要求.
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| 关 键 词： | 寄生电容 关断时间 栅氧 多晶线宽 |
Investigation into Parasitic Capacitance of 100 V N-Channel VDMOS |
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| TANG Zhaohuan,LIU Yong,HU Yonggui,YANG Qingling,YANG Yonghui,TAN Kaizhou.Investigation into Parasitic Capacitance of 100 V N-Channel VDMOS[J].Microelectronics,2010,40(3). |
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| Authors: | TANG Zhaohuan LIU Yong HU Yonggui YANG Qingling YANG Yonghui TAN Kaizhou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VDMOS |
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