| 基片温度对强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 梅显秀,刘振民,马腾才. 基片温度对强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2003, 23(4): 226-230 |
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| 作者姓名： | 梅显秀 刘振民 马腾才 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目资助课题 :低气压等离子体合成功能薄膜的部分机理研究 ( 198350 30 ) |
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| 摘 要： | 利用强流脉冲离子束 (High intensitypulsedionbeam HIPIB)烧蚀等离子体技术在Si(1 0 0 )基体上沉积类金刚石 (Dia mond likecarbon DLC)薄膜 ,基片温度的变化范围从 2 5℃ (室温 )到 40 0℃。利用Raman谱、X射线光电子谱 (XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜 (AFM)研究基片温度对DLC薄膜的化学结合状态、表面粗糙度、薄膜显微硬度和薄膜内应力的影响。根据XPS和Raman谱分析得出 ,基片温度低于 30 0℃时 ,sp3C杂化键的含量大约在 40 %左右 ;从 30 0℃开始发生sp3C向sp2 C的石墨化转变。随着沉积薄膜时基片温度的提高 ,DLC薄膜中sp3C的含量降低 ,由 2 5℃时 42 .5 %降到 40 0℃时 8.1 % ,XRD和AFM分析得出 ,随着基片温度的增加 ,DLC薄膜的表面粗糙度增大 ,薄膜的纳米显微硬度降低 ,摩擦系数提高 ,内应力降低。基片温度为 1 0 0℃时沉积的DLC薄膜的综合性能最好 ,纳米显微硬度 2 2GPa ,表面粗糙度为 0 75nm ,摩擦系数为 0 .1 1 0。
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| 关 键 词： | 强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积 类金刚石薄膜 结构和性能 基片温度 |
| 文章编号： | 0253-9748(2003)04-0226-05 |
| 修稿时间： | 2003-02-28 |
Influence of Substrate Temperature on Structure and Performance of DLC Films Deposited by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation |
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| Mei Xianxiu ,Liu Zhenmin and Ma Tengcai. Influence of Substrate Temperature on Structure and Performance of DLC Films Deposited by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2003, 23(4): 226-230 |
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| Authors: | Mei Xianxiu Liu Zhenmin Ma Tengcai |
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| Affiliation: | Mei Xianxiu *,Liu Zhenmin and Ma Tengcai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | High intensity pulsed ion beam ablation plasma deposition(HIPIBAPD) DLC films Structure and performance Substrate temperatures |
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