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不同偏压下铀表面多弧离子镀TiN薄膜性能研究
引用本文:刘天伟 鲜晓斌 武胜 董闯. 不同偏压下铀表面多弧离子镀TiN薄膜性能研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2006, 35(9): 1437-1440
作者姓名:刘天伟 鲜晓斌 武胜 董闯
作者单位:1. 大连理工大学三束国家重点实验室,辽宁,大连,116024;表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907
2. 大连理工大学三束国家重点实验室,辽宁,大连,116024
3. 表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907
基金项目:中国工程物理研究院NSAF基金
摘    要:不同偏压下利用多弧离子镀技术在U基体上制备了TiN薄膜。利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微观组织结构,用扫描电镜(SEM)观察其表面形貌。结果表明:所得薄膜为单一TiN结构,薄膜表面平整、致密,但局部仍存在大颗粒。摩擦磨损实验测定了薄膜的磨损性能。随偏压的上升,摩擦系数由0.421变为0.401。同时利用X射线光电子能谱分析仪(XPS)对湿热腐蚀20d后的样品进行了分析,并利用电化学极化实验在0.5μg/g CT溶液中测试了基体及薄膜耐蚀性能。结果表明:TiN涂层提高了贫铀的抗腐蚀性能。

关 键 词:多弧离子镀    偏压
文章编号:1002-185X(2006)09-1437-04
收稿时间:2005-08-24
修稿时间:2005-08-24

Properties of TiN Films on Uranium Surface by Arc Ion Plating under Different Bias Voltages
Liu Tianwei,Xian Xiaobin,Wu Sheng,Dong Chuang. Properties of TiN Films on Uranium Surface by Arc Ion Plating under Different Bias Voltages[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2006, 35(9): 1437-1440
Authors:Liu Tianwei  Xian Xiaobin  Wu Sheng  Dong Chuang
Affiliation:1. State Key Laboratory of Materials Modification, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China;2. State Key Laboratory of Surface Physics and Chemistry, Mianyang 621900, China
Abstract:
Keywords:TiN
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