3 mm 波段低噪声放大器 |
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引用本文: | 刘永强,张力江,魏洪涛,刘会东,蔡树军.3 mm 波段低噪声放大器[J].半导体技术,2014,39(6):410-413,418. |
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作者姓名: | 刘永强 张力江 魏洪涛 刘会东 蔡树军 |
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作者单位: | 专用集成电路重点实验室,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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摘 要: | 基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能。测试1~40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75~110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92~96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB。芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW。
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关 键 词: | 3mm波段 单片式微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) InP HEMT 噪声模型 |
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