| Al在生长InGaN材料中的表面活化效应 |
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| 引用本文： | 袁凤坡,尹甲运,刘波,梁栋,冯志宏. Al在生长InGaN材料中的表面活化效应[J]. 半导体技术, 2008, 33(2): 126-128 |
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| 作者姓名： | 袁凤坡 尹甲运 刘波 梁栋 冯志宏 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al).研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道.
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| 关 键 词： | 金属有机物化学汽相淀积 氮化镓 铟镓氮 铝活性剂 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）02-0126-03 |
| 收稿时间： | 2007-11-19 |
| 修稿时间： | 2007-11-19 |
Effect of Al Surfactant in the Growth of InGaN |
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| Yuan Fengpo,Yin Jiayun,Liu Bo,Liang Dong,Feng Zhihong. Effect of Al Surfactant in the Growth of InGaN[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(2): 126-128 |
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| Authors: | Yuan Fengpo Yin Jiayun Liu Bo Liang Dong Feng Zhihong |
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| Affiliation: | Yuan Fengpo,Yin Jiayun,Liu Bo,Liang Dong,Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Insititute,National Key Lab.of ASIC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | Al-doping was used in the growth of InGaN to improve its interface quality and the crystalline quality.The experimental results show that the full width at half maximum(FWHM) of XRD(002)is 399 arcsec for slight Al-doped InGaN,compared with the 533 arcsec undoped InGaN.The full width at half maximum (FWHM) of photoluminescence(PL)is 20.9 nm for slight Al-doped InGaN compared with the 21.4 nm undoped InGaN.As surfactant,Al enhances the InGaN quality greatly,which brings positive effect on the improvement of L... |
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| Keywords: | MOCVD GaN InGaN Al surfactant |
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