用共振核反应~(27)Al(p,γ)~(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应 |
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作者姓名: | 马忠权 刘家瑞 张树生 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,北京电子管厂 中国科学院新疆物理研究所 |
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基金项目: | “北京中关村地区联合分析测试基金” |
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摘 要: | 本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应~(27)Al(p,γ)~(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5%,这个实验的测量误差小于3%。
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关 键 词: | 共振核反应~(27)Al(p γ)~(28)Si SOS样品 电子阻止本领 同素异形效应 |
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