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| 用共振核反应~(27)Al(p,γ)~(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应 | |
| 引用本文： | 马忠权,刘家瑞,张树生.用共振核反应~(27)Al(p,γ)~(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应[J].核技术,1990(5). |
| 作者姓名： | 马忠权 刘家瑞 张树生 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，北京电子管厂 中国科学院新疆物理研究所 |
| 基金项目： | “北京中关村地区联合分析测试基金” |
| 摘 要： | 本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应~(27)Al(p,γ)~(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。 |
| 关 键 词： | 共振核反应~(27)Al(p γ)~(28)Si SOS样品 电子阻止本领 同素异形效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |