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| Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响 | |
| 作者单位： | ;1.重庆邮电大学光电工程学院;2.重庆交通大学机电与车辆工程学院;3.重庆理工大学电子信息与自动化学院 |
| 摘 要： | 相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。 |
| 关 键 词： | 相变存储器 Ge_2Sb_2Te_5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相 |
Influences of grain structures of Ge2Sb2Te5 on the reset current of phase change memory cell |
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