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Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar
作者姓名:周明宝  崔铮  D.Prewett
作者单位:中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,英国卢瑟福国家实验室微结构中心
摘    要:报道了用氟利昂CHF3和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术,研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响,并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染,同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺,采用Rs1/Discover软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在120~160W范围,氩气和氟利昂流速分别在15~35scm和20~50sccm范围,腔压在100~140mTor范围,相应的刻蚀速度为15~25nm/min。

关 键 词:石英,离子腐蚀,多层位相结构,混合气体。

Etching Fused Quartz With CHF 3/Ar
Zhou Mingbao.Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar[J].Opto-Electronic Engineering,1997(Z1).
Authors:Zhou Mingbao
Abstract:
Keywords:Quartz  Ion etching  Multilevel phase structures  Mixed gases  
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