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半导体激光器

摘要：	我们利用普通的液相外延(LPE)技术在n~+-GaAs衬底上制得均匀性良好的高质量四层外延片:第一层n-GaAlAs,厚25μm,载流子浓度为～1×10~(18)cm~(-3),第二层GaAs,有
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