| 金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列 |
| |
| 引用本文： | 吕文辉,张帅.金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列[J].半导体光电,2011,32(3):363-365,397. |
| |
| 作者姓名： | 吕文辉 张帅 |
| |
| 作者单位： | 湛江师范学院物理系,广东湛江524048;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;湛江师范学院科技处,广东湛江,524048 |
| |
| 基金项目： | 广东高校优秀青年创新人才培育项目，浙江大学硅材料国家重点实验室开放课题 |
| |
| 摘 要： | 基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。
|
| 关 键 词： | 硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 形貌控制 |
Controlled Synthesis of Si Nanowire Arrays through Metal Assisted Silicon Chemical Etching |
| |
| LV Wenhui,ZHANG Shuai.Controlled Synthesis of Si Nanowire Arrays through Metal Assisted Silicon Chemical Etching[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(3):363-365,397. |
| |
| Authors: | LV Wenhui ZHANG Shuai |
| |
| Affiliation: | 1.Department of Physics,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang 524048,CHN;2.State Key Laboratory of Si Material,Zhejiang University,Hangzhou 310027,CHN;3.Science ande Technology Office,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang 524048,CHN) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
