|
|||||
|
|
| HgCdTe晶体的缺陷吸除效应 | |
| 作者姓名： | 王珏 刘激呜 |
| 作者单位： | 中科院上海技物所(王珏，刘激呜，俞振中)，中科院上海技物所(汤定元) |
| 摘 要： | 利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能提高HeCdTe材料的光、电性能。 |
| 关 键 词： | HgCdTe晶体 缺陷 吸除效应 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |