| 快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响 |
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| 引用本文： | 冯泉林,王敬,何自强,常青,周旗钢. 快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响[J]. 微电子学, 2008, 38(4) |
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| 作者姓名： | 冯泉林 王敬 何自强 常青 周旗钢 |
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| 作者单位： | 1. 北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088
2. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 使用N2和N2/NH3混合气氛作为快速热退火(RTA)气氛,研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响.在N2/NH3混合气氛下,RTA处理后,硅片表面出现小坑,同时,微粗糙度增加,后续热处理工艺中会出现薄的洁净区(～10μm)和高密度的氧沉淀.经过N2气氛RTA处理的硅片,表面微粗糙度变化不大,后续热处理中获得较厚的洁净区(≥40μm)和较低的氧沉淀密度.
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| 关 键 词： | 单晶硅片 洁净区 氧沉淀 内吸杂 快速热退火 |
Effects of Rapid Thermal Annealing Ambient on Denuded Zone and Surface Morphology of Silicon Wafers |
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| FENG Quanlin,WANG Jing,HE Ziqiang,CHANG Qing,ZHOU Qigang. Effects of Rapid Thermal Annealing Ambient on Denuded Zone and Surface Morphology of Silicon Wafers[J]. Microelectronics, 2008, 38(4) |
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| Authors: | FENG Quanlin WANG Jing HE Ziqiang CHANG Qing ZHOU Qigang |
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