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| GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验 | |
| 引用本文： | 黄庆安,童勤义,吕世骥.GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验[J].半导体学报,1992,13(5):274-278. |
| 作者姓名： | 黄庆安 童勤义 吕世骥 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 南京210018 (黄庆安，童勤义)，东南大学微电子中心 南京210018(吕世骥) |
| 摘 要： | 研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好. |
| 关 键 词： | MESFET栅 取向效应 GaAs衬底 |
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