首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量
引用本文:陈光华,张仿清,徐希翔,清水立生.掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量[J].半导体学报,1986,7(5):539-542.
作者姓名:陈光华  张仿清  徐希翔  清水立生
作者单位:兰州大学物理系 (陈光华,张仿清,徐希翔),日本金沢大学工学部(清水立生)
摘    要:本工作用IR法研究了a·Si_(1-x)Cx:H(x~0.2)膜中掺杂(B和P)对H键合特性的影响,并对样品含H量作了定量分析.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号