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VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析

引用本文：	刘晓梅,李中江.VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J].电子科学学刊,1991,13(6):618-624.

作者姓名：	刘晓梅李中江

摘要：
关键词：	MOS器件场效应晶体管数值模拟
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