| SiGe HBT的速度优化设计 |
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| 引用本文： | 刘伦才,王若虚,张正璠,李儒章.SiGe HBT的速度优化设计[J].微电子学,2003,33(6):473-476. |
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| 作者姓名： | 刘伦才 王若虚 张正璠 李儒章 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法。结合双极晶体管的工艺限制，介绍了SiGeHBT的基本原理，讨论了SiGeHBT的发射区／基区／集电区设计。最后，以一个100GHzfmax和fT的HBT为例，对电路制作工艺参数进行了讨论。
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| 关 键 词： | SiGe 异质结晶体管 双极晶体管 发射区 基区 集电区 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)06-0473-04 |
| 修稿时间： | 2003年4月22日 |
Design Optimization of High-Speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors |
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| LIU Lun-cai,WANG Ruo-xu,ZHANG Zheng-fan,LI Ru-zhang.Design Optimization of High-Speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors[J].Microelectronics,2003,33(6):473-476. |
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| Authors: | LIU Lun-cai WANG Ruo-xu ZHANG Zheng-fan LI Ru-zhang |
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| Abstract: | Technologies for optimizing the speed of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) are presented in the paper. Along with the process limitation of BJT technology, the operational principle of the SiGe HBT is described. And the design of emitter, base and collector of the SiGe HBT is dealt with in particular. Finally, process parameters of two HBTs, for which an f_(max) or f_T of 100 GHz have been achieved, are discussed. |
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| Keywords: | SiGe device Bipolar transistor Heterojunction bipolar transistor |
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