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杂志ISSN号
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅰ.直流烧毁
作者姓名:
袁泽亮
范垂祯
作者单位:
兰州物理研究所
摘 要:
用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究,探讨了直流烧毁机理及物理过程。
关 键 词:
直流烧毁、微波GaAs功率场效应管、扫描俄歇微探针、扫描电镜、高场畴雪崩
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