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| 微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅰ．直流烧毁 | |
| 引用本文： | 袁泽亮,范垂祯.微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅰ．直流烧毁[J].真空与低温,1994(3). |
| 作者姓名： | 袁泽亮 范垂祯 |
| 作者单位： | 兰州物理研究所 |
| 摘 要： | 用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在测试中的直流烧毁进行了分析研究，探讨了直流烧毁机理及物理过程。 |
| 关 键 词： | 直流烧毁、微波GaAs功率场效应管、扫描俄歇微探针、扫描电镜、高场畴雪崩 |
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