ZrO2（Y—TZP）—Si3N4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加≤２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）的氮化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａ氮气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成。