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PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能
引用本文:樊慧庆,吴浩. PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能[J]. 压电与声光, 2005, 27(4): 442-444
作者姓名:樊慧庆  吴浩
作者单位:西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50002009);航空科学基金资助项目(99G53088)
摘    要:用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2Nb12)0.63Ti0.37O3,简称PINT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2O3)作为助熔剂获得尺寸达5mm的纯钙钛矿相结构PINT单晶体,利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构,测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。

关 键 词:钛铌铟酸铅 单晶体生长 钙钛矿 助熔剂 介电性能
文章编号:1004-2474(2005)04-0442-03
收稿时间:2003-10-28
修稿时间:2003-10-28

Growth and Characterization of PINT Ferroelectric Single Crystals by Flux Method
FAN Hui-qing,WU Hao. Growth and Characterization of PINT Ferroelectric Single Crystals by Flux Method[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(4): 442-444
Authors:FAN Hui-qing  WU Hao
Abstract:
Keywords:PINT   single crystal growth   perovskite   Pb3O4 and PbF2 flux   dielectric property
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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