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| 高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究 | |
| 引用本文： | 朱升云 李安利. 高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究[J]. 核技术, 1994, 17(10): 613-615 |
| 作者姓名： | 朱升云 李安利 |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 |
| 摘 要： | 采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。 |
| 关 键 词： | 硅 辐射效应 正电子湮灭 退火 |
A study of radation damage in high purity Si by positron annihilation and perturbed angular correlation methods |
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| Zhu Shengyun,Li Anli,Huang Hanchen,Li Donghong,Zheng Shengnan,Gou Zhenhui. A study of radation damage in high purity Si by positron annihilation and perturbed angular correlation methods[J]. Nuclear Techniques, 1994, 17(10): 613-615 | |
| Authors: | Zhu Shengyun Li Anli Huang Hanchen Li Donghong Zheng Shengnan Gou Zhenhui |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si single crystal Lattice defects Neutron and heavy ion irradiation O-V complexes Positron annihilation Perturbed angular correlation |
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