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| 分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器 | |
| 作者姓名： | 杨涛 季海铭 徐鹏飞 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家“863”计划（2006AA032401）;同家自然科学基金（60876033,61021003）;中国科学院“百人计划” |
| 摘 要： | 介绍了分子束外延生长高速直接调制1.3μm InAs/CaAs量子点激光器.通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究,外延并制作了有源区包含5层InA/GaAs量子点的1.3μm脊型波导边发射激光器.输出特性测试结果表明,条宽4μm、腔长600 μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA,激射中心波长位于1 293 nm,并且可以在10～100℃范围内实现连续激射.大信号调制眼图测试表明,激光器在25℃下可以实现12 Gb/s眼图的清晰张开. |
| 关 键 词： | 直接调制 量子点激光器 分子束外延 |
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