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| 分子动力学模拟不同入射能量的CH与碳氢薄膜的相互作用 | |
| 引用本文： | 秦尤敏,吕晓丹,赵成利,宁建平,贺平逆,A.Bogaerts,苟富均. 分子动力学模拟不同入射能量的CH与碳氢薄膜的相互作用[J]. 真空科学与技术学报, 2011, 31(2): 138-143. DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.02.03 |
| 作者姓名： | 秦尤敏 吕晓丹 赵成利 宁建平 贺平逆 A.Bogaerts 苟富均 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;贵州大学材料与冶金学院,贵阳,550003 2. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025 3. 比利时安特卫普大学化学系,PLASMANT课题组,比利时,B-2610 4. 辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300 |
| 基金项目： | 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(2009GB104006); 贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101) |
| 摘 要： | 本文使用分子动力学方法模拟低能CH与碳氢薄膜的相互作用,以探讨在核聚变过程中CH的再沉积行为及对面向等离子体材料性质变化的影响。选择的入射能量分别为0.3,1,5,10 eV。模拟结果表明随着入射能量的增加C原子与H原子的吸附率增加,且在入射能量大于CH离解能的情况下,同一能量下H原子的吸附率小于C原子的吸附率。随着入射能量的增加,薄膜的厚度增加,薄膜中含有Csp2的范围变宽,并且表面逐渐转变为Csp2表面。薄膜中的C主要以Csp3形式存在,其次是Csp2,几乎不含Csp1。通过统计薄膜中的CHx(x为1~4)发现CH占优势,其次是CH2,而CH4的量非常少。 |
| 关 键 词： | 分子动力学 碳氢薄膜 再沉积 吸附率 |
Dynamic Simulation of Interaction of Low Energy CH and Hydrocarbon Films |
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| Qin Youmin,Lv Xiaodan,Zhao Chengli,Ning Jianping,He Pingni,A.Bogaerts,Gou Fujun. Dynamic Simulation of Interaction of Low Energy CH and Hydrocarbon Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2011, 31(2): 138-143. DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.02.03 | |
| Authors: | Qin Youmin Lv Xiaodan Zhao Chengli Ning Jianping He Pingni A.Bogaerts Gou Fujun |
| Affiliation: | Qin Youmin1,2,Lv Xiaodan1,Zhao Chengli1,Ning Jianping1,He Pingni1,A.Bogaerts3,Gou Fujun4,5(1.Institute of Plasma Surface Interactions,Guizhou University,Guiyang 550025,China,2.School of Materials and Metallurgy,Guiyang 550003,3.Research Group PLASMANT,University of Antwerp,B-2610 Wilrijk-Antwerp,Belgium,4.Key Lab of Radiation Physics & Technology Ministry of Education,Chengdu 610064,5.FOM Institute for Plasma Physics,3439 MN Nieuwegein,The Netherlands) |
| Abstract: | The interaction of low energy CH radicals and the hydrocarbon films was simulated,based on the reactive empirical band order function and molecular dynamics to understand the possible mechanisms of CH re-deposition in fusion.The CH energy ranges from 0.3 eV to 10 eV.The impact of the variations in CH energy on deposition rates of C and H atoms on substrates of hydrocarbon films was analyzed.The simulated results show that the incident energy of the CH strongly affects the deposition rates,the carbon orbital... |
| Keywords: | Molecular dynamics Hydrocarbon films Redeposition Deposited rate |
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