| 铬硅化物的形成及其界面反应 |
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| 引用本文： | 丁孙安,许振嘉,李宝骐,周一峰. 铬硅化物的形成及其界面反应[J]. 半导体学报, 1990, 11(12): 906-914 |
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| 作者姓名： | 丁孙安 许振嘉 李宝骐 周一峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(丁孙安)，中国科学院表面物理实验室(许振嘉)，中国科技大学结构分析中心(李宝骐)，中国科技大学结构分析中心(周一峰) |
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| 摘 要： | 利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(～10A)/富Si相(～2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。
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| 关 键 词： | 铬硅化物 界面反应 XPS UPS |
Formation of Chromium Silicides and Reaction at Cr-Si Interface |
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| Ding Sunan/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingHsu Chenchia/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingLi Baoqi/University of Science and Technology of ChinaZhou Yifeng/University of Science and Technology of China. Formation of Chromium Silicides and Reaction at Cr-Si Interface[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(12): 906-914 |
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| Authors: | Ding Sunan/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingHsu Chenchia/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingLi Baoqi/University of Science Technology of ChinaZhou Yifeng/University of Science Technology of China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicide formation Metal-semiconductor interface UPS XPS |
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