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| 宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制 | |
| 引用本文： | 李宏伟,李卫,黄绮,周均铭.宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制[J].半导体学报,2000,21(12):1220-1223. |
| 作者姓名： | 李宏伟 李卫 黄绮 周均铭 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
| 摘 要： | 采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/AlGaAs多量子阱结构,制作成 3—5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50% ,500K黑体探测率 D*BB(500,1000,1 )达 1.7E10 cm.Hz1/2/W. |
| 关 键 词： | 量子阱红外探测器 探测率 InGaAs/AlGaAs |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)12-1220-04 |
| 修稿时间： | 1999年9月10日 |
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